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旋轉(zhuǎn)光纖
- 產(chǎn)品型號(hào)：
- 更新時(shí)間：2023-12-19
- 產(chǎn)品介紹：旋轉(zhuǎn)光纖是的高度雙折射光纖，它通過(guò)在拉制過(guò)程中先旋轉(zhuǎn)蝴蝶結(jié)式的單模保偏光纖來(lái)制造，而不是在拉制之后使其扭轉(zhuǎn)。它們經(jīng)旋轉(zhuǎn)使得蝴蝶結(jié)結(jié)構(gòu)沿光纖的軸向方向轉(zhuǎn)動(dòng)（參見(jiàn)頁(yè)面上方的圖）。我們提供針對(duì)1310 nm（產(chǎn)品型號(hào)為SHB1250G80和SHB1250）和1550 nm（產(chǎn)品型號(hào)為SHB1500）的激光源的光纖。
- 廠商性質(zhì)：代理商
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產(chǎn)品介紹
| 品牌 | Thorlabs | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類(lèi)別 | 光學(xué)元件 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池 |
旋轉(zhuǎn)光纖
旋轉(zhuǎn)光纖特性
設(shè)計(jì)波長(zhǎng)：1310 nm或1550 nm
針對(duì)電流感應(yīng)應(yīng)用優(yōu)化
輸出偏振對(duì)熱噪聲和振動(dòng)噪聲不敏感
應(yīng)用：
光纖電流傳感器 (FOCS)
光學(xué)電流互感器 (OCT)
旋轉(zhuǎn)光纖是的高度雙折射光纖，它通過(guò)在拉制過(guò)程中先旋轉(zhuǎn)蝴蝶結(jié)式的單模保偏光纖來(lái)制造，而不是在拉制之后使其扭轉(zhuǎn)。它們經(jīng)旋轉(zhuǎn)使得蝴蝶結(jié)結(jié)構(gòu)沿光纖的軸向方向轉(zhuǎn)動(dòng)（參見(jiàn)頁(yè)面上方的圖）。我們提供針對(duì)1310 nm（產(chǎn)品型號(hào)為SHB1250G80和SHB1250）和1550 nm（產(chǎn)品型號(hào)為SHB1500）的激光源的光纖。與傳統(tǒng)PM光纖不同，它們?cè)O(shè)計(jì)用來(lái)保持線性偏振和圓偏振，且輸出偏振對(duì)熱噪聲和振動(dòng)噪聲以及由應(yīng)力雙折射所致的漂移不敏感。
這些高度雙折射旋轉(zhuǎn)光纖的特性使它們非常適用于高靈敏度的光纖電流傳感器（FOCS）[也稱(chēng)為光學(xué)電流互感器（OCT）]。在這些應(yīng)用中，它們可用于AC電流傳感和DC電流傳感。FOCS和OCT依靠測(cè)量由法拉第效應(yīng)所致的光偏振軸的旋轉(zhuǎn)圈數(shù)（見(jiàn)圖1）。法拉第效應(yīng)通過(guò)所施加的磁場(chǎng)導(dǎo)致偏振態(tài)的旋轉(zhuǎn)。對(duì)于電流傳感應(yīng)用，磁場(chǎng)由載流導(dǎo)體產(chǎn)生。因?yàn)橛蓪?dǎo)體產(chǎn)生的磁場(chǎng)與電流呈線性正比關(guān)系，所以偏振旋轉(zhuǎn)也與電流呈正比。可通過(guò)將光纖纏繞導(dǎo)體來(lái)進(jìn)一步增加靈敏度（見(jiàn)圖2）。在這種情況下， 旋轉(zhuǎn)圈數(shù)β與Vx N x I呈正比，其中V、N和I如右邊所定義。
將這些旋轉(zhuǎn)光纖用作FOCS或OCT具有優(yōu)于傳統(tǒng)方法的幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。光纖內(nèi)部產(chǎn)生偏振旋轉(zhuǎn)，從任何電壓線或電壓源隔離。這消除了原本可能影響測(cè)量的任何電氣噪聲。光纖對(duì)外部場(chǎng)格外敏感，具有非?？斓捻憫?yīng)時(shí)間，并且重量輕，結(jié)構(gòu)緊湊。關(guān)于電流傳感應(yīng)用的更多信息，請(qǐng)參見(jiàn)制造商的技術(shù)和應(yīng)用說(shuō)明。
欲訂購(gòu)這些光纖作為連接器式的跳線，請(qǐng)聯(lián)系技術(shù)支持。
圖1：法拉第效應(yīng)的圖示
圖2：纏繞導(dǎo)體的旋轉(zhuǎn)光纖，用于電流感應(yīng)應(yīng)用
β ∝Vx N x I
V：Verdet常數(shù)（參見(jiàn)曲線標(biāo)簽），它是光學(xué)材料的一種屬性，以rad/A為單位
N：光纖纏繞電流導(dǎo)體的圈數(shù)。
I：流過(guò)導(dǎo)體的電流，以A為單位
| Item #a | OperatingWavelength | CladdingDiameter | CoatingDiameter | MFDb | NA | Cut-Off Wavelength | Attenuation | Circular BeatLength |
| SHB1250G80 | 1310 nm | 80 ± 1.5 µm | 170 ± 10 µm | 6.2 - 8.4 µm@ 1310 nm | 0.13 - 0.17 | ≤1250 nm | ≤5 dB/km@ 1310 nm | 63 - 125 mm@ 1310 nm |
| SHB1250 | 1310 nm | 125 ± 1 µm | 245 ± 15 µm | 6.2 - 8.4 µm@ 1310 nm | 0.13 - 0.17 | ≤1250 nm | ≤5 dB/km@ 1310 nm | 63 - 125 mm@ 1310 nm |
| SHB1500 | 1550 nm | 125 ± 1 µm | 245 ± 15 µm | 7.9 - 9.9 µm@ 1550 nm | 0.13 - 0.16 | ≤1500 nm | ≤3 dB/km@ 1550 nm | 72 - 144 mm@ 1550 nm |
模場(chǎng)直徑（MFD）為標(biāo)稱(chēng)值。它是近場(chǎng)中以1/e2功率等級(jí)時(shí)的直徑。更多信息請(qǐng)參見(jiàn)上方MFD定義標(biāo)簽。完整規(guī)格列表參見(jiàn)規(guī)格標(biāo)簽。
規(guī)格
Fiber | SHB1250G80 | SHB1250 | SHB1500 |
Operating Wavelength | 1310 nm | 1550 nm | |
Cut-Off Wavelength | ≤ 1250 nm | ≤ 1500 nm | |
Numerical Aperture | 0.13 - 0.17 | 0.13 - 0.16 | |
Mode Field Diameter | 6.2 - 8.4 µm @ 1310 nm | 7.9 - 9.9 µm @ 1550 nm | |
Attenuation | ≤ 5 dB/km @ 1310 nm | ≤ 3 dB/km @ 1550 nm | |
Circular Beat Length | 63 - 125 mm @ 1310 nm | 72 - 144 mm @ 1550 nm | |
Nominal Spin Pitcha | 4.8 mm | ||
Proof Test | 100 kpsi (1%) | ||
Cladding Diameter | 80 ± 1.5 µm | 125 ± 1 µm | |
Core-Cladding Concentricity | 1.0 µm | ||
Coating Diameter | 170 ± 10 µm | 245 ± 15 µm | |
Coating Diameter | 170 ± 10 µm | ||
旋轉(zhuǎn)間距指的是光纖中固定的360度旋轉(zhuǎn)的規(guī)律性。例如，5 mm旋轉(zhuǎn)間距意思是對(duì)成品光纖將以每5 mm來(lái)固定光纖的360度旋轉(zhuǎn)。
曲線
這個(gè)曲線圖為計(jì)算的旋轉(zhuǎn)光纖總靈敏度的值。較小的Ø80 µm包層光纖在較小的線圈直徑時(shí)比較大的Ø125 µm包層光纖靈敏。因此，Ø80 µm包層光纖可以更緊密地纏繞，并提供更的電流測(cè)量。關(guān)于總靈敏度的定義，請(qǐng)參見(jiàn)制造商的技術(shù)說(shuō)明的第三頁(yè)。
上方曲線圖為這些旋轉(zhuǎn)光纖的Verdet常數(shù)的理論值。
模場(chǎng)直徑定義
模場(chǎng)直徑（MFD）是在單模光纖中傳播的光的光束寬度的一個(gè)度量。它與波長(zhǎng)、纖芯半徑以及纖芯和包層的折射率呈函數(shù)關(guān)系。雖然光纖中大部分光都被束縛在纖芯內(nèi)，但有小部分光在包層中傳播。對(duì)于高斯功率分布，MFD是光功率從其峰值等級(jí)下降到1/e2時(shí)的直徑。
MFD的測(cè)量
MFD的測(cè)量由遠(yuǎn)場(chǎng)可變孔徑法（VAMFF）完成。 將光闌置于光纖輸出的遠(yuǎn)場(chǎng)中，并測(cè)量強(qiáng)度。將依次減小的光闌置于光束中，對(duì)每種孔徑測(cè)量強(qiáng)度等級(jí)；所得數(shù)據(jù)可繪圖為功率vs.孔徑半角（或?qū)τ赟M光纖是數(shù)值孔徑）的正弦值的曲線。
接著用彼得曼第二定義確定MFD，這個(gè)彼得曼第二定義不假設(shè)功率分布的特定形狀。近場(chǎng)中MFD可從這個(gè)遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量用漢克爾變換來(lái)確定。
左圖是通過(guò)光纖傳播的光束的強(qiáng)度分布。右圖是通過(guò)光纖傳播的光束的標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)度分布，圖中標(biāo)注了MFD和纖芯直徑。
損傷閥值
激光誘導(dǎo)的光纖損傷
以下教程詳述了無(wú)終端(裸露的)、有終端光纖以及其他基于激光光源的光纖元件的損傷機(jī)制，包括空氣-玻璃界面(自由空間耦合或使用接頭時(shí))的損傷機(jī)制和光纖玻璃內(nèi)的損傷機(jī)制。諸如裸纖、光纖跳線或熔接耦合器等光纖元件可能受到多種潛在的損傷(比如，接頭、光纖端面和裝置本身)。光纖適用的大功率始終受到這些損傷機(jī)制的小值的限制。
雖然可以使用比例關(guān)系和一般規(guī)則估算損傷閾值，但是，光纖的損傷閾值在很大程度上取決于應(yīng)用和特定用戶(hù)。用戶(hù)可以以此教程為指南，估算大程度降低損傷風(fēng)險(xiǎn)的安全功率水平。如果遵守了所有恰當(dāng)?shù)闹苽浜瓦m用性指導(dǎo)，用戶(hù)應(yīng)該能夠在的大功率水平以下操作光纖元件；如果有元件并未大功率，用戶(hù)應(yīng)該遵守下面描述的"實(shí)際安全水平"該，以安全操作相關(guān)元件?？赡芙档凸β蔬m用能力并給光纖元件造成損傷的因素包括，但不限于，光纖耦合時(shí)未對(duì)準(zhǔn)、光纖端面受到污染或光纖本身有瑕疵。關(guān)于特定應(yīng)用中光纖功率適用能力的深入討論，請(qǐng)聯(lián)系技術(shù)支持techsupport-cn@thorlabs.com。
Quick Links |
Damage at the Air / Glass Interface |
Intrinsic Damage Threshold |
Preparation and Handling of Optical Fibers |
空氣-玻璃界面的損傷
空氣/玻璃界面有幾種潛在的損傷機(jī)制。自由空間耦合或使用光學(xué)接頭匹配兩根光纖時(shí)，光會(huì)入射到這個(gè)界面。如果光的強(qiáng)度很高，就會(huì)降低功率的適用性，并給光纖造成yong久性損傷。而對(duì)于使用環(huán)氧樹(shù)脂將接頭與光纖固定的終端光纖而言，高強(qiáng)度的光產(chǎn)生的熱量會(huì)使環(huán)氧樹(shù)脂熔化，進(jìn)而在光路中的光纖表面留下殘留物。
損傷的光纖端面
未損傷的光纖端面
裸纖端面的損傷機(jī)制
光纖端面的損傷機(jī)制可以建模為大光學(xué)元件，紫外熔融石英基底的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)損傷閾值適用于基于石英的光纖(參考右表)。但是與大光學(xué)元件不同，與光纖空氣/璃界面相關(guān)的表面積和光束直徑都非常小，耦合單模(SM)光纖時(shí)尤其如此，因此，對(duì)于給定的功率密度，入射到光束直徑較小的光纖的功率需要比較低。
右表列出了兩種光功率密度閾值：一種理論損傷閾值，一種"實(shí)際安全水平"。一般而言，理論損傷閾值代表在光纖端面和耦合條件非常好的情況下，可以入射到光纖端面且沒(méi)有損傷風(fēng)險(xiǎn)的大功率密度估算值。而"實(shí)際安全水平"功率密度代表光纖損傷的低風(fēng)險(xiǎn)。超過(guò)實(shí)際安全水平操作光纖或元件也是有可以的，但用戶(hù)必須遵守恰當(dāng)?shù)倪m用性說(shuō)明，并在使用前在低功率下驗(yàn)證性能。
計(jì)算單模光纖和多模光纖的有效面積單模光纖的有效面積是通過(guò)模場(chǎng)直徑(MFD)定義的，它是光通過(guò)光纖的橫截面積，包括纖芯以及部分包層。耦合到單模光纖時(shí)，入射光束的直徑必須匹配光纖的MFD，才能達(dá)到良好的耦合效率。
例如，SM400單模光纖在400 nm下工作的模場(chǎng)直徑(MFD)大約是Ø3 µm，而SMF-28 Ultra單模光纖在1550 nm下工作的MFD為Ø10.5 µm。則兩種光纖的有效面積可以根據(jù)下面來(lái)計(jì)算：
SM400 Fiber:Area= Pi x (MFD/2)2 = Pi x (1.5µm)2 = 7.07 µm2= 7.07 x 10-8cm2
SMF-28 Ultra Fiber: Area = Pi x (MFD/2)2 = Pi x (5.25 µm)2= 86.6 µm2= 8.66 x 10-7cm2
為了估算光纖端面適用的功率水平，將功率密度乘以有效面積。請(qǐng)注意，該計(jì)算假設(shè)的是光束具有均勻的強(qiáng)度分布，但其實(shí)，單模光纖中的大多數(shù)激光束都是高斯形狀，使得光束中心的密度比邊緣處更高，因此，這些計(jì)算值將略高于損傷閾值或?qū)嶋H安全水平對(duì)應(yīng)的功率。假設(shè)使用連續(xù)光源，通過(guò)估算的功率密度，就可以確定對(duì)應(yīng)的功率水平：
SM400 Fiber: 7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理論損傷閾值)
7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (實(shí)際安全水平)
SMF-28 Ultra Fiber: 8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理論損傷閾值)
8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (實(shí)際安全水平)
多模(MM)光纖的有效面積由纖芯直徑確定，一般要遠(yuǎn)大于SM光纖的MFD值。如要獲得佳耦合效果，Thorlabs建議光束的光斑大小聚焦到纖芯直徑的70 - 80%。由于多模光纖的有效面積較大，降低了光纖端面的功率密度，因此，較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級(jí))可以無(wú)損傷地耦合到多模光纖中。
Estimated Optical Power Densities on Air / Glass Interfacea | ||
Type | Theoretical Damage Thresholdb | Practical Safe Levelc |
CW(Average Power) | ~1 MW/cm2 | ~250 kW/cm2 |
10 ns Pulsed(Peak Power) | ~5 GW/cm2 | ~1 GW/cm2 |
所有值針對(duì)無(wú)終端(裸露)的石英光纖，適用于自由空間耦合到潔凈的光纖端面。
這是可以入射到光纖端面且沒(méi)有損傷風(fēng)險(xiǎn)的大功率密度估算值。用戶(hù)在高功率下工作前，必須驗(yàn)證系統(tǒng)中光纖元件的性能與可靠性，因其與系統(tǒng)有著緊密的關(guān)系。
這是在大多數(shù)工作條件下，入射到光纖端面且不會(huì)損傷光纖的安全功率密度估算值。
插芯/接頭終端相關(guān)的損傷機(jī)制
有終端接頭的光纖要考慮更多的功率適用條件。光纖一般通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂粘合到陶瓷或不銹鋼插芯中。光通過(guò)接頭耦合到光纖時(shí)，沒(méi)有進(jìn)入纖芯并在光纖中傳播的光會(huì)散射到光纖的外層，再進(jìn)入插芯中，而環(huán)氧樹(shù)脂用來(lái)將光纖固定在插芯中。如果光足夠強(qiáng)，就可以熔化環(huán)氧樹(shù)脂，使其氣化，并在接頭表面留下殘?jiān)?。這樣，光纖端面就出現(xiàn)了局部吸收點(diǎn)，造成耦合效率降低，散射增加，進(jìn)而出現(xiàn)損傷。
與環(huán)氧樹(shù)脂相關(guān)的損傷取決于波長(zhǎng)，出于以下幾個(gè)原因。一般而言，短波長(zhǎng)的光比長(zhǎng)波長(zhǎng)的光散射更強(qiáng)。由于短波長(zhǎng)單模光纖的MFD較小，且產(chǎn)生更多的散射光，則耦合時(shí)的偏移也更大。
為了大程度地減小熔化環(huán)氧樹(shù)脂的風(fēng)險(xiǎn)，可以在光纖端面附近的光纖與插芯之間構(gòu)建無(wú)環(huán)氧樹(shù)脂的氣隙光纖接頭。我們的高功率多模光纖跳線就使用了這種設(shè)計(jì)特點(diǎn)的接頭。
曲線圖展現(xiàn)了帶終端的單模石英光纖的大概功率適用水平。每條線展示了考慮具體損傷機(jī)制估算的功率水平。大功率適用性受到所有相關(guān)損傷機(jī)制的低功率水平限制(由實(shí)線表示)。
確定具有多種損傷機(jī)制的功率適用性
光纖跳線或組件可能受到多種途徑的損傷(比如，光纖跳線)，而光纖適用的大功率始終受到與該光纖組件相關(guān)的低損傷閾值的限制。
例如，右邊曲線圖展現(xiàn)了由于光纖端面損傷和光學(xué)接頭造成的損傷而導(dǎo)致單模光纖跳線功率適用性受到限制的估算值。有終端的光纖在給定波長(zhǎng)下適用的總功率受到在任一給定波長(zhǎng)下，兩種限制之中的較小值限制(由實(shí)線表示)。在488 nm左右工作的單模光纖主要受到光纖端面損傷的限制(藍(lán)色實(shí)線)，而在1550
nm下工作的光纖受到接頭造成的損傷的限制(紅色實(shí)線)。
對(duì)于多模光纖，有效模場(chǎng)由纖芯直徑確定，一般要遠(yuǎn)大于SM光纖的有效模場(chǎng)。因此，其光纖端面上的功率密度更低，較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級(jí))可以無(wú)損傷地耦合到光纖中(圖中未顯示)。而插芯/接頭終端的損傷限制保持不變，這樣，多模光纖的大適用功率就會(huì)受到插芯和接頭終端的限制。
請(qǐng)注意，曲線上的值只是在合理的操作和對(duì)準(zhǔn)步驟幾乎不可能造成損傷的情況下粗略估算的功率水平值。值得注意的是，光纖經(jīng)常在超過(guò)上述功率水平的條件下使用。不過(guò)，這樣的應(yīng)用一般需要專(zhuān)業(yè)用戶(hù)，并在使用之前以較低的功率進(jìn)行測(cè)試，盡量降低損傷風(fēng)險(xiǎn)。但即使如此，如果在較高的功率水平下使用，則這些光纖元件應(yīng)該被看作實(shí)驗(yàn)室消耗品。
光纖內(nèi)的損傷閾值
除了空氣玻璃界面的損傷機(jī)制外，光纖本身的損傷機(jī)制也會(huì)限制光纖使用的功率水平。這些限制會(huì)影響所有的光纖組件，因?yàn)樗鼈兇嬖谟诠饫w本身。光纖內(nèi)的兩種損傷包括彎曲損耗和光暗化損傷。
彎曲損耗
光在纖芯內(nèi)傳播入射到纖芯包層界面的角度大于臨界角會(huì)使其無(wú)法全反射，光在某個(gè)區(qū)域就會(huì)射出光纖，這時(shí)候就會(huì)產(chǎn)生彎曲損耗。射出光纖的光一般功率密度較高，會(huì)燒壞光纖涂覆層和周?chē)乃商坠堋?/span>
有一種叫做雙包層的特種光纖，允許光纖包層(第二層)也和纖芯一樣用作波導(dǎo)，從而降低彎折損傷的風(fēng)險(xiǎn)。通過(guò)使包層/涂覆層界面的臨界角高于纖芯/包層界面的臨界角，射出纖芯的光就會(huì)被限制在包層內(nèi)。這些光會(huì)在幾厘米或者幾米的距離而不是光纖內(nèi)的某個(gè)局部點(diǎn)漏出，從而大限度地降低損傷。Thorlabs生產(chǎn)并銷(xiāo)售0.22 NA雙包層多模光纖，它們能將適用功率提升百萬(wàn)瓦的范圍。
光暗化
光纖內(nèi)的第二種損傷機(jī)制稱(chēng)為光暗化或負(fù)感現(xiàn)象，一般發(fā)生在紫外或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光，尤其是摻鍺纖芯的光纖。在這些波長(zhǎng)下工作的光纖隨著曝光時(shí)間增加，衰減也會(huì)增加。引起光暗化的原因大部分未可知，但可以采取一些列措施來(lái)緩解。例如，研究發(fā)現(xiàn)，羥基離子(OH)含量非常低的光纖可以抵抗光暗化，其它摻雜物比如氟，也能減少光暗化。
即使采取了上述措施，所有光纖在用于紫外光或短波長(zhǎng)光時(shí)還是會(huì)有光暗化產(chǎn)生，因此用于這些波長(zhǎng)下的光纖應(yīng)該被看成消耗品。
制備和處理光纖
通用清潔和操作指南
建議將這些通用清潔和操作指南用于所有的光纖產(chǎn)品。而對(duì)于具體的產(chǎn)品，用戶(hù)還是應(yīng)該根據(jù)輔助文獻(xiàn)或手冊(cè)中給出的具體指南操作。只有遵守了所有恰當(dāng)?shù)那鍧嵑筒僮鞑襟E，損傷閾值的計(jì)算才會(huì)適用。
安裝或集成光纖(有終端的光纖或裸纖)前應(yīng)該關(guān)掉所有光源，以避免聚焦的光束入射在接頭或光纖的脆弱部分而造成損傷。
光纖適用的功率直接與光纖/接頭端面的質(zhì)量相關(guān)。將光纖連接到光學(xué)系統(tǒng)前，一定要檢查光纖的末端。端面應(yīng)該是干凈的，沒(méi)有污垢和其它可能導(dǎo)致耦合光散射的污染物。另外，如果是裸纖，使用前應(yīng)該剪切，用戶(hù)應(yīng)該檢查光纖末端，確保切面質(zhì)量良好。
如果將光纖熔接到光學(xué)系統(tǒng)，用戶(hù)先應(yīng)該在低功率下驗(yàn)證熔接的質(zhì)量良好，然后在高功率下使用。熔接質(zhì)量差，會(huì)增加光在熔接界面的散射，從而成為光纖損傷的來(lái)源。
對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和優(yōu)化耦合時(shí)，用戶(hù)應(yīng)該使用低功率；這樣可以大程度地減少光纖其他部分(非纖芯)的曝光。如果高功率光束聚焦在包層、涂覆層或接頭，有可能產(chǎn)生散射光造成的損傷。
高功率下使用光纖的注意事項(xiàng)
一般而言，光纖和光纖元件應(yīng)該要在安全功率水平限制之內(nèi)工作，但在理想的條件下(佳的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和非常干凈的光纖端面)，光纖元件適用的功率可能會(huì)增大。用戶(hù)先必須在他們的系統(tǒng)內(nèi)驗(yàn)證光纖的性能和穩(wěn)定性，然后再提高輸入或輸出功率，遵守所有所需的安全和操作指導(dǎo)。以下事項(xiàng)是一些有用的建議，有助于考慮在光纖或組件中增大光學(xué)功率。
要防止光纖損傷光耦合進(jìn)光纖的對(duì)準(zhǔn)步驟也是重要的。在對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中，在取得佳耦合前，光很容易就聚焦到光纖某部位而不是纖芯。如果高功率光束聚焦在包層或光纖其它部位時(shí)，會(huì)發(fā)生散射引起損傷
使用光纖熔接機(jī)將光纖組件熔接到系統(tǒng)中，可以增大適用的功率，因?yàn)樗梢源蟪潭鹊販p少空氣/光纖界面損傷的可能性。用戶(hù)應(yīng)該遵守所有恰當(dāng)?shù)闹笇?dǎo)來(lái)制備，并進(jìn)行高質(zhì)量的光纖熔接。熔接質(zhì)量差可能導(dǎo)致散射，或在熔接界面局部形成高熱區(qū)域，從而損傷光纖。
連接光纖或組件之后，應(yīng)該在低功率下使用光源測(cè)試并對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。然后將系統(tǒng)功率緩慢增加到所希望的輸出功率，同時(shí)周期性地驗(yàn)證所有組件對(duì)準(zhǔn)良好，耦合效率相對(duì)光學(xué)耦合功率沒(méi)有變化。
由于劇烈彎曲光纖造成的彎曲損耗可能使光從受到應(yīng)力的區(qū)域漏出。在高功率下工作時(shí)，大量的光從很小的區(qū)域(受到應(yīng)力的區(qū)域)逃出，從而在局部形成產(chǎn)生高熱量，進(jìn)而損傷光纖。請(qǐng)?jiān)诓僮鬟^(guò)程中不要破壞或突然彎曲光纖，以盡可能地減少?gòu)澢鷵p耗。
用戶(hù)應(yīng)該針對(duì)給定的應(yīng)用選擇合適的光纖。例如，大模場(chǎng)光纖可以良好地代替標(biāo)準(zhǔn)的單模光纖在高功率應(yīng)用中使用，因?yàn)榍罢呖梢蕴峁└训墓馐|(zhì)量，更大的MFD，且可以降低空氣/光纖界面的功率密度。
階躍折射率石英單模光纖一般不用于紫外光或高峰值功率脈沖應(yīng)用，因?yàn)檫@些應(yīng)用與高空間功率密度相關(guān)。
產(chǎn)品型號(hào) | 公英制通用 |
SHB1250G80 | 旋轉(zhuǎn)保偏光纖，1310 nm，Ø80 µm的包層 |
SHB1250 | 旋轉(zhuǎn)保偏光纖，1310 nm，Ø125 µm的包層 |
SHB1500 | 旋轉(zhuǎn)保偏光纖，1550 nm，Ø125 µm的包層 |
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